MC方案｜RIE / ICP干法蚀刻工艺案例

ICP / RIE蚀刻应用范围：

- Si，SiO2，SiN蚀刻工艺

- Al，Cr，Ti，TiW，Au，Mo等金属蚀刻工艺

- 晶圆尺寸：一片，4英寸，6英寸晶圆

RIE 等离子刻蚀案例：

SiO2 / SiN蚀刻

80 sccm CF4，均匀性<5％，在6英寸晶圆上

几种功率水平下的压力与蚀刻速率（如下图）：

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料，拥有模块化腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。用于研究、工艺开发和批量生产，可轻松集成到自动化生产线和系统中。

腔室/电极

PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的*功能。腔室材料是硬质阳极氧化铝，耐腐蚀。有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替托盘电极，用于小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。

标配圆柱形“桶”式电极

用于光刻胶剥离和各向同性刻蚀

RIE电极（可选配）

用于各向异性蚀刻的水冷电极

隔板电极（可选配）

用于各向同性蚀刻，标配2块电极

等离子体源

该系统可选配LF（KHz）或13.56（MHz）射频电源以及自动匹配网络。

真空泵系统

该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油（惰性泵油），适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器（MFC）的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。

电脑控制

触摸屏电脑控制，提供无线程序存储，多步骤工艺简单易存，易于编程，实时显示工艺条件。工艺处理可用条形码读取（选配）。

其中较典型的等离子处理工艺包括：

▪ 等离子预处理

▪ 光刻胶去胶

▪ 表面处理

▪ 各向异性和各向同性蚀刻

▪ 故障分析应用

▪ 材料改性

▪ 封装清洗

▪ 钝化层刻蚀

▪ 聚酰胺刻蚀

▪ 促进粘合

▪ 生物医学应用

▪ 聚合反应

▪ 混合清洗

▪ 预键合清洗