MicroChem光刻胶满足客户需求反应作用
MicroChem光刻胶广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离MicroChem光刻胶在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化(<0.25µM),以及非常厚(>4µm)金属化。这些*的材料可几乎满足任何客户需要。
MicroChem光刻胶材料用途:金属电梯加工,桥制造,释放层。
曝光过程中,MicroChem光刻胶中的感光剂发生光化学反应,从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂DQ发生光化学反应,变为乙烯酮,进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid,简称ICA),羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍,同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。
刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去,称为去胶,分为湿法去胶和干法去胶,其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶剂而除去;无机溶剂去胶则是利用光刻胶本身也是有机物的特点,通过一些无机溶剂,将光刻胶中的碳元素氧化为二氧化碳而将其除去;干法去胶,则是用等离子体将光刻胶剥除。