促进MicroChem光刻胶研究开发和应用

MicroChem光刻胶是芯片制造过程中的关键材料，芯片制造要根据具体的版图（物理设计，layout）设计出掩模板，然后通过光刻（光线通过掩模板，利用光刻胶对裸片衬底等产生影响）形成一层层的结构，后形成3D立体电路结构，从而产生Die（裸片）。工艺的发展，光刻机的发展，材料学的同步发展才能促进摩尔定律的发展。

　　MicroChem光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。

　　MicroChem光刻胶的技术复杂，品类较多，根据其化学反应机理可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶做涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。

MicroChem光刻胶参数主要包括以下几种：

　　1）分辨率，用关键尺寸（摩尔定律）来衡量分辨率；

　　2）对比度，光刻胶从曝光区到非曝光区过度的陡度，会对芯片制造良率产生影响；

　　3）粘滞性粘度，衡量光刻胶流动特性的参数；

　　4）敏感度，产生一个良好的图形所需一定波长光的小能量值（小曝光量）；

　　5）粘附性，粘附于衬底的强度；

　　6)抗蚀性，光刻胶要保持粘附在衬底上并在后续刻蚀工序中保护衬底表面；