MicroChem光刻胶的主要技术指标都有哪些？

MicroChem光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。

MicroChem光刻胶应用范围：广泛应用于集成电路，封装，微机电系统，光电子器件光子器件，平板显示器，太阳能光伏等领域。

　　主要技术参数

　　1．灵敏度

　　灵敏度是衡量曝光速度的指标。灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

　　2．分辨率（resolution）

　　区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，分辨率越好。

　　分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

　　(1)曝光系统的分辨率。

　　(2)对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

　　(3)前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响分辨率。

　　3．对比度

　　对比度指从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。

　　4．粘滞性/黏度

　　衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。

　　5．抗蚀性

　　必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

　　6．工艺宽容度

　　光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对z后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的工艺条件，当实际工艺条件偏离z佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。

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