MicroChem光刻胶是一种可塑性高分子（聚合物）材料，通过紫外线曝光进行化学反应形成图案。光刻胶通常是涂覆在硅片或其他衬底表面的薄膜，其厚度可以从几个纳米到数百微米不等。刻蚀过程中，光刻胶起到保护衬底或已刻蚀部分不受刻蚀剂侵蚀的作用，从而形成所需的结构。
MicroChem光刻胶类别：
MicroChem生产多种类型的光刻胶，包括正/负光刻胶和超临界流体光刻胶等。其中常用的是正/负光刻胶。
正/负光刻胶：正/负光刻胶基于光敏聚合物的化学反应类型不同，可以分为正光刻胶和负光刻胶。
正光刻胶是一种通过紫外线曝光后形成的高分子结构可控制的光刻胶。在曝光后，光刻胶中的光敏剂会引发聚合物链的交联反应，从而使光刻胶变得更加耐刻蚀。在刻蚀过程中，未经曝光的部分被刻蚀走，而曝光部分则保留下来作为所需图案的模板。
负光刻胶与正光刻胶相反，是一种通过曝光后形成无法刻蚀的区域的光刻胶。在曝光后，光刻胶中的光敏剂会引发聚合物链的断裂反应，从而形成无法刻蚀的结构。在刻蚀过程中，仅经过曝光的部分被刻蚀走，未经曝光的部分则保留下来作为所需图案的模板。
超临界流体光刻胶：超临界流体光刻胶是一种利用超临界CO2作为溶剂的光刻胶。这种光刻胶具有更高的分辨率和更快的刻蚀速度，同时还能提供更好的剥离性能和更少的残留物。
MicroChem光刻胶被广泛应用于半导体、生物芯片、MEMS等行业。在半导体工业中，光刻胶通常用于制作集成电路（IC）的掩模图案。在生物芯片中，光刻胶则被用于制造微流控芯片及用于生物检测的光学生物芯片。在MEMS中，光刻胶则被用于制造微机械系统（如微型传感器和执行器）。
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