光谱椭偏仪 DUV-VIS-NIR

光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜，如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时，深紫外光谱椭偏仪也是*的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然，如果必须确定光学常数，则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置，如波长分辨率，角度范围等，将根据所需的应用进行考虑。

光谱椭偏仪特征：

•基于Window软件，易于操作；

•*光学设计，实现系统性能；

•高功率DUV-VIS-NIR光源，适用于宽带应用；

•基于阵列的探测器系统，确保快速测量；

•用户可以根据需要定义任意数量的图层；

•能够用于实时或在线厚度，折射率监测；

•系统配有全面的光学常数数据库；

•高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表，色散或有效介质近似（EMA）；

•三种不同的用户级别控制：工程师模式，系统服务模式和简易用户模式；

•灵活的工程模式，适用于各种配方设置和光学模型测试；

•强大的一键式按钮解决方案，用于快速和常规测量；

•可按照用户偏好配置测量参数，操作简便；

•系统全自动校准和初始化；

•直接从样品信号获得精确的样品对齐接口，无需外部光学元件；

•精确的高度和倾斜程度调整；

•适用于许多不同类型的不同厚度的基材；

•各种选项，附件可用于特殊配置，如绘图阶段，波长扩展，焦点等；

•2D和3D输出图形以及用户数据管理界面；

光谱椭偏仪应用：

•半导体制造（PR，氧化物，氮化物......）

•液晶显示器（ITO，PR，Cell gap ......）

•法医学，生物学材料

•油墨，矿物学，颜料，调色剂

•制药，医疗器械

•光学涂层，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......

•半导体化合物

•MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•无定形，纳米和硅晶圆

•太阳能电池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....

光谱椭偏仪技术参数：

型号	SE200(DUV-Vis)	SE300(Vis)	SE450(Vis-Nir)	SE500(DUV-Vis-Nir)
探测器类型	CCD或CMOS阵列	CCD或CMOS阵列	CCD或CMOS和InGaAs阵列	CCD或CMOS和InGaAs阵列
波长范围（nm）	190至1100	370至1100	370-1700	190-1700
波长点	测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义（数据点仅受分辨率限制）
波长分辨率	0.01 -3nm	0.01 -3nm	0.01至3nm	0.01至3nm
数据采集时间	100毫秒到10秒，用户自定义
入射角范围	20至90度