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详细介绍
Futurrex产品优势:
1、Futurrex光刻胶黏附性好,无需使用增粘剂(HMDS)
2、负性光刻胶常温下可保存3年
3、150度烘烤,缩短了烘烤时间
4、单次旋涂能够达到100um膜厚
5、显影速率快,100微米的膜厚,仅需6~8分钟
应用领域 |
型号 |
特性 |
半导体 |
NR9-PY |
用于lift-off工艺,高黏附性、高效,耐高温 |
NR71-PY |
用于lift-off工艺,高温,可作为间隔材料 |
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NR9-P |
高黏附性,适用于电镀和湿法刻蚀 |
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NR71-P |
做掩膜,适用于干法刻蚀,可作为间隔材料 |
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NR21-P |
100um的膜厚,具有良好的分辨率 |
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NR5 |
可作厚膜掩膜,适用于离子刻蚀 |
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PR1 |
耐高温,用于一般图案的正性光刻胶,离子刻蚀,湿法刻蚀 |
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IC1/DC5 |
滤波等电解质材料 |
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PC3 |
平坦化,临时黏附及机械保护 |
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BDC1/PDC1/ZPDC1 |
掺杂工艺 |
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太阳能 |
BDC1 |
掺硼材料 |
PDC1 |
掺磷材料 |
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NR71/NR9-PY |
用于lift-off工艺,高黏附性、高效,耐高温/做间隔材料 |
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NR9-P |
高黏附性,适用于电镀和湿法刻蚀 |
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LED/OLED/HBLED |
NR9-PY |
用于lift-off工艺,高黏附性、高效,耐高温 |
NR71-P |
做掩膜,适用于干法刻蚀,可作间隔材料 |
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IC1 |
滤波等电解质材料 |
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MEMS |
NR9-P |
高黏附性,适用于电镀和湿法刻蚀 |
NR5/NR71 |
可作厚膜掩膜,适用于离子刻蚀/做掩膜,可作间隔材料 |
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NR2 |
可实现120um膜厚,6:1深宽比的图案,适用于电镀、湿法刻蚀 |
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NR71/NR9-PY |
用于lift-off工艺,高黏附性、高效,耐高温/做间隔材料 |
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PC3 |
平坦化,临时黏附及机械保护 |
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IC1 |
滤波等电解质材料 |
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微流体与生物芯片 |
NR71-P |
做掩膜,适用于干法刻蚀,可作间隔材料 |
NR2 |
可实现120um膜厚,6:1深宽比的图案,适用于电镀、湿法刻蚀 |
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NR5 |
可作厚膜掩膜,适用于离子刻蚀 |
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光电子 |
NR71/NR9-PY |
用于lift-off工艺,高黏附性、高效,耐高温/做间隔材料 |
NR71-P |
做掩膜,适用于干法刻蚀,可作间隔材料 |
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PR1 |
刻蚀制程中的正性光刻胶,适用于喷涂和辊涂 |
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NR9-P |
高黏附性,适用于电镀和湿法刻蚀 |
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NR2-P |
可实现100um膜厚的凹凸图案,分辨率好,易于去胶 |
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封装 |
NR2-P |
可实现100um膜厚的凹凸图案,分辨率好,易于去胶 |
NR5 |
可作厚膜掩膜,适用于离子刻蚀 |
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PR1 |
刻蚀制程中的正性光刻胶,适用于喷涂和辊涂 |
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平坦化 |
PC3 |
平坦化,临时黏附及机械保护 |
图案印刷 |
PR1 |
刻蚀制程中的正性光刻胶,适用于喷涂和辊涂 |
NR9 |
增强了黏附性,适用于喷涂和辊涂 |
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显影液 |
RD6 |
显影时间短,适用于正、负性光刻胶, |
去胶液 |
RR41/RR5 |
可以安全、高效的去除光刻胶及临时涂层,适用于多种衬底材料 |
边胶清洗液 |
EBR2 |
高效、快速的边胶去除 |
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