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详细介绍
美国RTP系列的快速退火炉温度均匀度≤1%,处理的大尺寸可以达到200mm,温度可以达到1200摄氏度,处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行,做多可支持4~6路进气,可以用到的气体包含N2,O2,N2H2,Ar和H2。
-处理时间:0.1秒至无*;
-灯管数量及功率:13支,
-腔体冷却:风冷方式;
-衬底冷却:氮气吹扫;
-工艺气路:MFC控制,多6路(氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等);
应用领域:
快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA);
快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation,RTO);
快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation,RTN);
硅化(Silicidation);
扩散(Diffusion);
化合物半导体退火(Compound Semiconductor Annealing);
离子注入后退火(Implant Annealing);
电极合金化(Contact Alloying);
晶向化和坚化(Crystallization and Densification);
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